Mètode de producció de pel·lícula estirable

Epitaxia del feix molecular. L'epitaxia de feix molecular és un mètode pel qual els fabricants de pel·lícules estirades utilitzen feixos moleculars per créixer en unitats d'ultrafiltració. L'epitaxia del feix molecular (MBE) es realitza sota una bomba de buit (UHV), que garanteix que l'epitaxia del feix molecular tingui un gran camí lliure mitjà i es pugui projectar a la superfície del substrat segons l'esquema de disseny.
És una característica de MBE que, a diferència d'altres mètodes de creixement de pel·lícula estirada, aquest mètode té molts avantatges: pot integrar detectors que requereixen un estàndard de bomba de buit elevat al programari del sistema de creixement d'epitaxi. Els estudis científics dels principis del creixement epitaxial han demostrat l'estàndard. El gruix de la capa epitaxial es pot controlar amb precisió i la superfície o pàgina de creixement pot aconseguir una brillantor molecular, permetent la producció de pel·lícules estirades. 2. Mètode de superposició de pols únic làser. El mètode de deposició làser d'un sol pols és diferent de la tradicional pel·lícula fina de forja per evaporació al buit. El làser pot augmentar la temperatura de l'àrea irradiada a una velocitat que després pot escalfar l'àrea irradiada des d'un simple escalfament fins a la crema d'espelmes amb tecnologia de plasma. La llum de les espelmes s'expulsa al llarg de la direcció normal de la superfície i produeix col·lisions dúctils o reflectants amb molècules o molècules de l'aire a la cambra reflectora.